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供应金属硅技术资料-被覆金属氧化物-载有机稀土金属-互补式金
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产品: 供应金属硅技术资料-被覆金属氧化物-载有机稀土金属-互补式金 
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最后更新: 2012-05-24 04:38
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金属硅技术资料-被覆金属氧化物-载有机稀土金属-互补式金属-金属铁-碱土金属的硅类资料(298元/全套)选购时请记住本套资料(光盘)售价:298元;资料(光盘)编号:F150287
敬告:我公司只提供技术资料,不能提供任何实物产品及设备,也不能提供生产销售厂商信息。
《金属硅资料》包括专利技术全文资料461份。
0001)氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件

0011)金属硅化栅极及其形成方法
0012)在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法
0013)半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法
0014)过渡金属氧化物/二氧化硅纳米复合粉体催化剂及其合成方法和该催化剂用于制备碳纳米管
0015)CMOS硅化物金属栅集成
0016)利用图案化金属结构增加氮化硅表面粘着度的方法
0017)利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
0018)含有中和气味的金属氧化物硅酸盐的组合物
0019)硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
0020)改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法
0021)局部形成自对准金属硅化物的方法
0022)溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
0023)电流控制硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路
0024)使用呈混合物的脲基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷处理金属的方法
0025)碱金属硅酸盐(*)碱金属硅酸盐胶泥复合板体及其制作方法
0027)金属涂装前硅烷偶联预膜剂的制备方法
0028)与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法
0029)一种含结晶硅铝酸盐沸石和贵金属的催化剂及其制备方法
0030)含有在4(*)一种含硅碳链聚合物的双金属氰化物络合催化剂
0032)掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
0033)自固载化的硅桥含烯烃基团茂金属烯烃聚合催化剂及其制备方法
0034)包含金属硅化物栅和沟道注入的晶体管构件及其制造方法
0035)用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法
0036)测定金属硅中磷含量的方法
0037)硅器件芯片背面银系溅射金属化
0038)微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法
0039)涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质
0040)在金属催化剂存在下通过脱氢缩合可交联的有机硅组合物
0041)一种二价铕激活的碱土金属磷硅酸盐荧光粉及其制备方法
0042)一种含碳化硅、铁、碳、铬的钼基金属陶瓷
0043)一种具有金属硅化物纳米结构的材料及其制作方法
0044)使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法
0045)用于制备金属茂的含有至少一个氟硅氧烷取代基的配体
0046)组合式硅橡胶外套金属氧化物避雷器
0047)用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
0048)实现超大规模集成电路难熔金属硅化物阻挡层的方法
0049)一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
0050)可烧结耐火金属氧化物或硅石的多孔膜和其制法
0051)使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
0052)金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器
0053)含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法
0054)多晶硅(*)无定形硅酸钠(*)具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
0057)为了提高耐蚀性使用含溶解的无机硅酸盐或铝酸盐、有机官能性硅烷和非官能性硅烷的水溶液预处理金属
0058)用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
0059)移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
0060)物理气相沉积金属层的预处理与硅化金属层的制作方法
0061)制备晶状碱金属硅酸盐颗粒和粒状高密度洗涤剂的方法
0062)提纯碱金属硅酸盐溶液的方法
0063)卤化镁/二氧化硅负载的半茂金属催化剂及其制备与应用
0064)从碱金属的硅酸盐制备纳米二氧化硅颗粒的方法
0065)用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入
0066)减少硅晶片中的金属杂质的方法
0067)用于图像传感器的自对准金属硅化物处理方法
0068)金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法
0069)氮化硅电热塞中氮化硅与金属的一步活性连接方法
0070)具有涂布过金属氧化物的二氧化硅颗粒表面的水流展性涂层
0071)硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法
0072)完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法
0073)基于铂和非铂过渡金属化合物的混合物在提高聚硅氧烷高弹体弧阻性能方面的用途
0074)硅胶与金属弹片结合的按键
0075)包含碱金属的硅化物组合物和制备它的方法
0076)高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)结构及其制造方法
0077)高分子化含硅桥基茂金属的双活性中心烯烃聚合催化剂的制备方法
0078)碱土金属硅铝酸盐微晶玻璃的增强
0079)一种碱土金属磷硅酸盐白色光发射荧光粉及其制造方法
0080)一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺
0081)浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
0082)加强型碳化硅/金属复合管
0083)碱土金属硅酸盐纤维的改性
0084)一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法
0085)一种纳米复合物二氧化硅(*)一种去除硅化物形成过程中多余金属的方法
0087)微孔和中孔晶状金属硅酸盐的制备方法,由该方法得到的产物及其应用
0088)在金属催化剂存在下可通过脱氢缩合交联的有机硅组合物
0089)金属改性小孔磷硅铝型分子筛催化剂及其制备方法和应用
0090)长链正构双烯选择性加氢中孔氧化硅钯金属催化剂及应用
0091)一种化学提高金属硅纯度的生产方法
0092)金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法
0093)包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法
0094)多金属氧簇/二氧化硅透明杂化材料的制备方法
0095)以乙烯基硅烷与双甲硅烷基氨基硅烷的水性混合物对金属表面的保护性处理
0096)包覆有二氧化硅的金属纳米颗粒及其制造方法
0097)可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法
0098)金属硅化物层设于源、漏区域上及栅极上的半导体器件及其制造方法
0099)非水电解质二次电池负极材料和用于此的金属硅粉
0100)使用金属硅酸盐催化剂制备线性增量的多亚烷基多胺的方法
0101)一种金属硅材料的制备方法
0102)以富硅烷组合物涂布金属表面的方法
0103)具有不同金属硅化物部分的半导体器件的制造方法
0104)具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
0105)从硅中去除铜及其它金属杂质的工艺
0106)用碱土金属生产新型复合脱氧剂硅铝钡铁合金
0107)可改善接面电性特性的自行对准金属硅化物的制造方法
0108)剥落硅酸盐结构中的金属氧化物纳米颗粒
0109)一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
0110)一种二价铕激活的碱土金属硅酸盐荧光粉及其制备方法
0111)纳米晶硅金属箔膜太阳电池及其制备方法
0112)制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
0113)含金属离子硅磷铝分子筛的制备方法
0114)双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器
0115)在乏硅环境下使用等离子增强化学气相沉积制程的金属栅极的氮氧间隔体的形成方法
0116)用于涂覆金属的聚酰胺和硅烷基自粘型粉末涂料
0117)一种介孔硅金属层柱粘土材料的制备方法
0118)增大硅片单位面积金属(*)固相碱金属硅酸盐复合泡沫材料
0120)从金属氧化物化合物生产铝镁硅等金属的方法
0121)水性常温固化氟硅金属质感涂料
0122)局部形成自对准金属硅化物的方法
0123)用乙烯基硅烷防止金属板腐蚀的方法
0124)生产金属硅的方法及该法所用的还原剂
0125)氧化硅基复合金属氧化物的制备方法
0126)以硅铝合金为还原剂制取金属镁的方法
0127)一种用硅铁还原氧化钙制备金属钙的方法
0128)使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法
0129)金属工件涂装前硅烷处理的防护层
0130)具有高熔点金属硅化物膜的半导体装置制造方法
0131)微小线宽金属硅化物结构
0132)用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法
0133)互补金属氧化物硅图像传感器的制造方法
0134)使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
0135)双组分水性环氧富锌硅烷金属防腐涂料
0136)金属硅酸盐(*)双组分硅烷聚合物金属重防腐水性工业涂料
0138)水可润湿的甲硅烷基化金属氧化物
0139)一种小孔磷硅铝分子筛的金属改性方法
0140)用于形成局域金属硅化物的工艺方法
0141)具有埋设金属硅化物位线的金属氧氮氧半导体装置
0142)半导体器件的制造方法-其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物
0143)可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法
0144)金属(*)以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法
0146)去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置
0147)一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法
0148)一种高温耐磨耐蚀Ni(*)硅-金属双层结构薄膜热电堆
0150)金属硅化物的制造方法
0151)基于含硅倍半氧烷金属络合物的聚合化合物的催化剂体系
0152)用于掩膜只读存储器单元阵列的自行对准金属硅化物制程
0153)硅胶交联壳聚糖合成重金属吸附剂的方法
0154)金属硅化双层结构及其形成方法
0155)自对准金属硅化物工艺
0156)一种由碱金属的硅酸盐制备纳米二氧化硅的方法
0157)悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
0158)局部形成硅化物金属层的方法
0159)形成金属硅化物的方法
0160)用于不饱和化合物的氢化硅烷化的卡宾基金属催化剂的制备方法及得到的催化剂
0161)局部形成硅化物金属层的方法
0162)用于应变硅MOS晶体管的金属硬掩模方法和结构
0163)全硅化金属栅极
0164)金属硅化物阻挡结构的形成方法及半导体器件
0165)磁性/金属/荧光复合二氧化硅纳米粒子及其制备方法
0166)使用原子层沉积工艺制造金属硅酸盐层的方法
0167)利用碱土金属硅酸盐催化剂的制造抗坏血酸的方法
0168)制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法
0169)金属硅化物的形成方法
0170)制备金属(*)应用于金属铁电氧化物和硅单管单元存储器的具有钛缓冲层的高(*)碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
0173)形成具有集成的金属硅化物栅电极的晶体管的方法
0174)平面型单硅双金属层功率器件及制造方法
0175)用于硅基液晶微显示光学引擎的金属线栅偏振分/合光镜
0176)含结晶硅铝酸盐沸石和贵金属的催化剂及其制备方法
0177)集成电路金属硅化物方法
0178)氨烷基硅凝胶固载有机稀土金属树形物催化剂及其制备方法
0179)特别用于金属硅/二氧化硅的真空纯化炉及纯化方法
0180)组合物和使用烷氧基硅烷涂层涂覆金属表面的方法
0181)甲硅烷基取代的环金属化过渡金属络合物及利用它的有机电致发光器件
0182)高纯硅酸钾电熔炉重金属电极的阴极保护技术
0183)化妆料、表面疏水化二氧化硅被覆金属氧化物粒子、二氧化硅被覆金属氧化物溶胶、以及它们的制法
0184)自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用
0185)用于直接合成烷基卤代硅烷的基于铜、磷和碱金属的催化组合物
0186)新的聚硅氧烷聚合物的制备方法,用该方法制备的聚硅氧烷聚合物,热固性树脂组合物,树脂膜,贴有绝缘材料的金属箔,两面贴有金属箔的绝缘膜,贴有金属的层压板,多层贴有金属的层压板和多层印刷电路布线板
0187)聚硅氧烷涂覆的金属氧化物颗粒
0188)用于制备金属茂的含有至少一个氟硅氧烷取代基的配体
0189)在卡宾型金属催化剂存在下通过氢化硅烷化可交联成弹性体的有机硅组合物及此类催化剂
0190)金属源极/漏极肖特基势垒悬空硅MOSFET器件及其方法
0191)节能型稀土金属电解专用硅整流器
0192)形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法
0193)金属硅酸盐、纤维素产品及其工艺
0194)新型功能性过渡金属硅酸盐(FTMS)
0195)泡沫碳化硅/金属双连续相复合摩擦材料及其构件和制备
0196)硅片表面金属电极制作方法及开槽器
0197)硅改性的氧化铝及制备与在负载茂金属催化剂中的应用
0198)金属硅化物的形成方法
0199)Ti(*)纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
0201)纳米银包覆二氧化硅的金属介电复合颗粒的制备方法
0202)硅烷组合物和将橡胶结合到金属上的方法
0203)具有金属硅化物隔离的存储阵列
0204)一种碳化硅颗粒增强铝金属基复合材料的轻型汽车制动盘
0205)含二氧化硅和分散剂的对金属基底防腐蚀保护增强的可辐射固化制剂
0206)与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构
0207)金属硅酸盐膜的形成方法以及记录介质
0208)形成金属硅化物的方法
0209)硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法
0210)通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
0211)从金属硅制备超纯硅的方法和装置
0212)无碱金属的铝硼硅酸盐玻璃及其用途
0213)局部金属硅化的取代栅极
0214)金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层
0215)具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件及其制造方法
0238)过渡金属的还原方法、使用该方法的含硅聚合物的表面处理方法、过渡金属微粒子的制造方法、物品及电路板的制造方法
0248)用于在金属上沉积溶胶-凝胶涂层的巯基官能硅烷
0249)0.8微米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺
0250)中体积分数铝碳化硅金属基复合材料组合物及制备产品的方法
0251)一种碱土金属硅酸盐荧光粉及其制备方法和应用
0252)与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构制造方法
0253)向金属组合物施涂硅烷涂料的方法
0254)一种纳米金属钯和镍掺杂介孔氧化硅材料及其制备方法
0255)形成金属硅化物的方法
0256)自对准金属硅化物的制造方法
0257)利用回收金属锂和回收四氢呋喃制备六甲基二硅烷的方法
0258)具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法
0259)在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法
0260)硅化物合金(*)通过在卡宾基金属催化剂存在下氢化硅烷化可交联成弹性体的硅氧烷组合物及此类催化剂
0262)包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片
0263)金属硅化层的制造方法
0264)在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
0265)含金属(*)以水溶性碱金属硅酸盐化合物为基的改良的多组份混合物及其用途
0267)选择性去除未被硅化的金属的方法
0268)局部形成硅化金属层的方法
0269)非晶硅金属诱导晶化方法
0270)包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法
0271)通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
0272)形成通过加入硅来调整功函数的金属栅极结构的方法
0273)一种金属硅原料提纯制备方法
0274)一种新型硅胶负载交联壳聚糖重金属离子吸附剂
0275)局部形成自对准金属硅化物的方法
0276)具有结晶碱土金属硅氮化物/氧化物与硅界面的半导体结构
0277)一种含贵金属的微孔钛硅材料及其制备方法
0278)测绘在硅晶片表面上金属杂质浓度的工艺方法
0279)适用于自动对准金属硅化物工艺的二极管
0280)金属一氧化铝一硅结构湿度传感器及其制备工艺
0281)硅化金属制造的方法
0282)一种离子束应用于金属硅化物工艺缺陷分析的方法
0283)功率金属氧化物硅场效应晶体管
0284)用于二氧化硅或金属硅酸盐薄膜的前体
0285)以含至少两种硅烷的混合物涂布金属表面的方法
0286)用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入
0287)一种高密度可擦写的金属(*)具有P+多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
0289)去除硅单晶中重金属杂质的方法
0290)用硅烷剂/金属化合物/手性配位体实施酮的对映体选择性还原反应
0291)改性层状金属硅酸盐材料及其制备方法
0292)金属硅化物溅镀靶
0293)一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
0294)作为活性表面增强拉曼光谱术衬底的金属涂覆纳米晶体硅
0295)硅(IV)化合物及其它金属(IV)化合物的酶合成和修饰及降解
0296)超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法
0297)用作金属间电介质的低k和超低k有机硅酸盐膜的疏水性的恢复
0298)在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法
0299)用碳化硅与金属合成金刚石的方法
0300)金属硅粉末及其制造方法、球状二氧化硅粉末与树脂组合物
0301)采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
0302)金属硅通氧去钙生产工艺
0303)图像传感器中采用化学机械抛光的自对准金属硅化物工艺
0304)一种微孔金属磷酸硅铝型分子筛及其合成方法
0305)带有化学键合金属化合物的中型有机多分子硅醚颗粒
0306)作为涂料、复合材料和添加剂的多面体低聚倍半硅氧烷和金属化的多面体低聚倍半硅氧烷
0307)多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0308)金属层制版印刷术中作抗反射涂层用的无定形硅
0309)金属微粒热稳定的弹性有机多分子硅醚组合物以及所得的透明高弹体
0310)内置金属片的硅胶按键
0311)一种去除金属硅中P、B杂质的新方法
0312)制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
0313)自动对准金属硅化物制造方法
0314)使用硅烷进行金属防腐的方法
0315)金属硅化物的制造方法
0316)包含碱金属和碱金属合金的硅胶组合物
0317)单一氧化硅层作为掺杂遮蔽层与金属硅化物阻挡层的方法
0318)制备硅金属、铝硅和铝金属的方法
0319)一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺
0320)一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法
0321)制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
0322)一种纳米硅铝管复合金属氧化物功能材料的制备方法
0323)硅化金属栅极晶体管的结构和方法
0324)作为氢化硅烷化催化剂的三氮烯氧化物——过渡金属配合物
0325)可用于灯泡的耐高热铝碱土金属硅酸盐玻璃
0326)自行对准金属硅化物的制造方法
0327)半导体元件及具有金属硅化物的导线的制造方法
0328)一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法
0329)具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
0330)三维介孔结构非均相有机金属配合物(*)镍硅基金属间化合物复合材料及其制备方法
0332)集成抗反射层与金属硅化物块的方法
0333)一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法
0334)用作活性表面增强拉曼光谱术(SERS)基质的涂覆有金属的纳米晶硅
0335)利用不溶阳极进行硅晶片的铜金属化
0336)形成自对准金属硅化物的方法
0337)一种低温制备无金属催化剂的纳米硅线的方法
0338)含有碱金属氧化物的混合氧化物粉末以及含有该粉末的聚硅氧烷橡胶
0339)一种从多金属尾矿中制备硅酸钙粉体的方法
0340)使用金属取代的二氧化硅干凝胶精炼油的方法和组合物
0341)微小线宽金属硅化物及其制作方法
0342)薄硅化钨层沉积和栅金属集成
0343)具有被含有烯烃残基的甲硅烷氧基或甲锗烷氧基所取代的环戊二烯基配体的茂金属催化剂
0344)用第Ⅳ族金属配合物存在下的脱氢缩合反应制备含有不饱和官能基的聚有机硅氧烷的方法
0345)甲硅烷基化的双金属氰化物络合物催化剂
0346)金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
0347)嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法
0348)四周带金属的铝碳化硅封装板材
0349)由负载于高纯氧化硅上的过渡金属组成的烯烃置换催化剂
0350)一种聚硅酸金属盐混凝剂的集成生产方法
0351)生产高密度半导体功率器件的钴(*)在硅酸盐生产中从硅酸盐源中去除重金属的方法
0353)过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
0354)燃料电池用有机硅/稀土金属盐/无机多元酸(盐)的质子交换膜
0355)硅-金属双层结构薄膜热电堆
0356)高温耐磨耐腐蚀Cr(*)多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0358)一种金属改性的AFO结构磷酸硅铝分子筛及其应用
0359)金属化中孔硅酸盐及用其进行氧化的方法
0360)金属元素合金化的片层铌钼硅基原位复合材料及其制备方法
0361)具有金属硅化物层的半导体器件的制造方法
0362)一种硅氢加成反应担载型双金属催化剂及制备方法
0363)一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
0364)碳化硅/铜金属陶瓷高温电接触复合材料制备方法
0365)金属硅化物形成方法及半导体器件的制造方法
0366)用硅藻土处理有色金属冶炼废水的方法及其硅藻土污水处理剂
0367)一种硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法
0368)硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法
0369)硅胶包覆的多金属含氧簇合物纳米粒子材料及其制备方法
0370)制作包含与硅的金属氧化物界面的半导体结构的方法
0371)硅化物接触和硅化物栅金属集成的方法
0372)在集成电路中含硅导体区域形成改良的金属硅化物部分的方法
0373)有机硅氧烷/金属氧化物涂料
0374)含金属离子硅磷铝分子筛的合成方法
0375)半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构
0376)带有防静电二极管的金属化硅芯片
0377)可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法
0378)一种可抑制水稻吸收重金属的稀土复合硅溶胶
0379)非晶态金属纤维无硅碳基复合材料
0380)包含银金属微粒和硅烷衍生物的组合物
0381)金属硅化物纳米线及其制作方法
0382)金属硅化物膜的制作方法和金属氧化物半导体器件
0383)硅铝酸盐负载的铁系后过渡金属乙烯聚合催化剂的制备方法
0384)非金属元素合金化的片层铌钼硅基原位复合材料及其制备方法
0385)带金属密封环的铝碳化硅封装外壳
0386)使用氧化铝作为有机金属硅络合物的捕获物质
0387)具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
0388)用于茂金属催化剂组分的含环戊二烯基环的硅
0389)形成在源漏极上具有金属硅化物的晶体管的方法
0390)利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法
0391)Tm3+/Yb3+共掺重金属氧氟硅酸盐玻璃及其制备方法
0392)硅化金属阻止区的形成方法及半导体器件的制造方法
0393)半导体器件中金属硅化物的单向扩散
0394)预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法
0395)采用重掺杂区内引线制造硅表面金属线圈的方法
0396)具有含硅金属布线层的半导体器件及其制造方法
0397)半导体器件中金属硅化物接触的制造方法
0398)采用直接合成法合成结晶金属硅铝酸盐的方法
0399)碱金属硅酸盐的制备方法
0400)一种冶炼化学级金属硅的还原剂
0401)一种用电阻炉生产金属硅的方法
0402)一种生产金属硅的方法
0403)具有多样的金属硅化物的半导体元件
0404)减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
0405)贵金属负载介孔氮氧化硅复合催化剂及其制备方法
0406)用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极
0407)制备互补金属氧化物图像传感器(*)在硅衬底上制备结晶碱土金属氧化物的方法
0409)硅酯和金属氧化物的多层陶瓷涂层
0410)多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
0411)一种硅桥连双核茂金属锆化合物
0412)硅烷和金属醇化物形成的非水性涂料组合物
0413)含有可与金属阳离子相容的二氧化硅的牙膏组合物
0414)制备有金属硅化物膜的半导体器件的方法
0415)贵金属/二氧化硅(*)金属硅定向凝固简易装置
0417)金属氧硅化物的单源混合物
0418)制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
0419)防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构
0420)应用双官能聚硫硅烷的金属的腐蚀防护
0421)在催化金属络合物的存在下通过氢化硅烷化含有至少一个其中包括氧原子的烃环的合成子来制备硅油的方法
0422)形成热稳定金属硅化物的方法
0423)使用呈混合物的氨基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷处理金属的方法
0424)甲硅烷氢化物功能树脂上的无电金属沉积
0425)金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法
0426)形成半导体装置的折射-金属-硅化物层的方法
0427)含有金属酸根改性二氧化硅颗粒的含水浆料
0428)一种金属卟啉/二氧化硅降解剂的制备方法
0429)金属和含硅部件的组件的扩散阻挡层及其形成方法
0430)无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件
0431)发光的碱土金属原硅酸盐及相关的发光屏和低压汞汽放电灯
0432)一种含碱土金属的硅磷铝分子筛及其合成
0433)表面改性的涂布有二氧化硅的非金属/金属氧化物
0434)用双金属氰化物催化剂制备的聚醚与聚硅氧烷的共聚物
0435)矿冶化联产金属铝、硅、乙炔及煤气的方法
0436)具有金属硅化物薄膜的半导体器件及制造方法
0437)二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源
0438)用于金属表面预处理的以硅烷偶联剂为主要成分的金属表面处理剂
0439)含铝、硅、锰和稀土金属的耐蚀镁基合金
0440)用于灯泡的含碱土金属的硼铝硅酸盐玻璃及其应用
0441)高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法
0442)应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
0443)用于油墨接受体的金属离子官能化的二氧化硅表面
0444)一种金属硅的提纯设备
0445)用硅藻精土处理高浓度重金属废水的方法
0446)高介电常数金属硅酸盐的原子层沉积
0447)金属改性聚甲基硅烷及其制备方法和应用
0448)多晶硅表面金属杂质的清除
0449)金属硅酸盐膜的成膜方法及其装置、半导体装置的制造方法
0450)一种内含贵金属纳米颗粒的二氧化硅空心球的合成方法
0451)从金属硅中除去硼的方法和装置
0452)无定型碱金属硅酸盐组合物
0453)德尔塔掺杂的碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
0454)在金属表面沉积硅的工艺中促进硅化合物分解的方法
0455)包含金属掺杂的硅基凝胶材料的空气过滤介质
0456)金属硅化物的制造方法
0457)局部形成硅化金属层的方法
0458)形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法
0459)使用基于金属和含二氧化硅的氧化锆的组合物催化氧化一氧化碳和烃的气体处理方法
0460)纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管
0461)金属饰品浇注成型用硅橡胶模具材料及其应用



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