点击图片查看原图
镓技术资料-砷化镓芯片-衬底氮化镓-氮化物氮化镓-制作氮化镓-控制氮化镓类资料（398元/全套）选购时请记住本套资料（光盘）售价：398元；资料（光盘）编号：F150269
敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。
《镓资料》包括专利技术全文资料694份。
0001)一种用于砷化镓晶片的精抛液
0011)铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法
0012)用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
0013)铝镓铟砷多量子阱超辐射发光二极管
0014)铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用
0015)树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
0016)砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
0017)一种具有MFI结构含镓沸石的制备方法
0018)通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
0019)混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法
0020)基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
0021)基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
0022)在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
0023)一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置
0024)一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
0025)一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
0026)一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
0027)氮化镓基化合物半导体发光器件
0028)利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
0029)铟镓砷红外探测器
0030)利用铟镓氮发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置
0031)生长氮化镓晶体的方法
0032)一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
0033)磷酸三镓晶体的助熔剂生长法
0034)降低磷化镓单晶尾部位错的方法
0035)一种含镓矿物中镓的提取方法
0036)在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
0037)氮化镓系发光二极管
0038)氮化镓系Ⅲ(*)砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
0040)一种砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法
0041)铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
0042)一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
0043)含镓烟尘的处理方法
0044)一种钴镍铁镓形状记忆合金材料
0045)非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
0046)含镓氮化物块状单结晶在异质基板上的形成法
0047)改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
0048)高纯氧化镓的制备方法
0049)一种氮化镓基大管芯发光二极管
0050)镓酸锂晶体的制备方法
0051)一种氯化镓的制备方法
0052)一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
0053)具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
0054)用萃取(*)一种照明用氮化镓基发光二极管器件
0056)碱金属镧铋镓酸盐红外光学玻璃及其制备方法
0057)双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
0058)双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
0059)制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
0060)通过部分凝固提纯镓的方法
0061)氮化镓系发光二极管的构造
0062)掺杂稀土的镓锗铋铅发光玻璃材料及其制备方法和应用
0063)一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法
0064)抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
0065)低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜
0066)通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
0067)一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
0068)铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法
0069)砷化镓晶片的激光加工方法
0070)倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
0071)一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法
0072)掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法
0073)一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法
0074)制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
0075)一种从含镓渣中提取镓的方法
0076)高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
0077)氮化镓基圆盘式单色光源列阵
0078)镧系镁混合镓酸盐和使用该镓酸盐单晶的激光器
0079)砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
0080)氮化镓基Ⅲ(*)提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
0082)氮化镓类化合物半导体装置
0083)高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
0084)双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用
0085)α(*)采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
0087)氮化镓系发光二极管的制作方法
0088)从水溶液中沉淀镓
0089)氮化镓层的制备方法
0090)含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法
0091)具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
0092)砷化镓脑血流量三维成像仪
0093)一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
0094)绝缘栅铝镓氮化物/氮化钾高电子迁移率晶体管(HEMT)
0095)用于中温燃料电池的掺杂镓酸镧－无机盐复合凝聚态电解质
0096)氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
0097)氮化镓半导体激光器
0098)无氧三烷基镓的制备方法
0099)氮化镓系Ⅲ(*)纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
0101)砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
0102)砷化镓/空气型可调谐滤波器及制作方法
0103)氮化镓系发光二极管及其制造方法
0104)低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
0105)氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
0106)一种镓含量的测定方法
0107)使用基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体的方法及装置
0108)一种砷化镓PIN二极管及其制作方法
0109)无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
0110)用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
0111)铟镓氮p(*)磷化镓发光二极管
0113)导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
0114)氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
0115)6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法
0116)铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
0117)氮化镓基发光二极管指示笔
0118)砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
0119)一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
0120)可调谐能量和脉冲频率的运动图形砷化镓激光弱视矫治仪
0121)氮化镓基红外(*)氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
0123)基于镓掺杂Ga3Sb8Te1相变存储单元及其制备方法
0124)多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关
0125)P型氮化镓电极的制备方法
0126)适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
0127)含镓和稀土铈的无镉银钎料
0128)氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
0129)氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
0130)氮化镓层的制备方法
0131)具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
0132)使用含镓开关材料的液态金属开关
0133)氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
0134)利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
0135)新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
0136)准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
0137)含去甲基斑蝥酸根(DCA)的铜(Ⅱ)、镓(Ⅲ)及稀土离子(Ln3+)混配配合物ML(DCA)
0138)一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
0139)掺杂钙钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
0140)氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
0141)一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
0142)背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
0143)采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
0144)长波长砷化铟/砷化镓量子点材料
0145)一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
0146)富镓氮化镓薄膜的制造方法
0147)膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
0148)掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法
0149)磷化镓液相外延装置
0150)硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
0151)铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
0152)一种砷化镓基半导体(*)镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
0154)氮化镓基光子晶体激光二极管
0155)提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性的方法
0156)多倍频程砷化镓微波单片数字、模拟移相器
0157)在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
0158)一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
0159)通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
0160)氮化镓基Ⅲ(*)氮化镓表面低损伤蚀刻
0162)氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
0163)一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途
0164)谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜
0165)基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
0166)氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
0167)带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
0168)氮化镓二极管装置的缓冲层结构
0169)从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
0170)紫外双波段氮化镓探测器
0171)利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
0172)氮化镓紫外探测器
0173)大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
0174)多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
0175)具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
0176)在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
0177)镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管及其集成技术
0178)一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
0179)砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
0180)含镓和/或铟的硫化砷锗玻璃
0181)强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
0182)宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
0183)制造氮化镓半导体发光器件的方法
0184)氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
0185)铈和至少一种选自稀土、过渡金属、铝、镓和锆的其它元素的化合物的胶态水分散体及其制备方法和用途
0186)含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
0187)氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
0188)往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
0189)一种镓提纯电解废液的净化处理方法
0190)晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
0191)一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
0192)含镓氧化锌
0193)制备掺钕钆镓石榴石纳米粉的凝胶燃烧合成方法
0194)柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
0195)碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
0196)氮化镓荧光体及其制造方法
0197)不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
0198)含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
0199)在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法
0200)氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
0201)一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
0202)氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
0203)反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
0204)一种冷却金属镓靶中频孪生磁控溅射装置
0205)磷化镓绿色发光器件
0206)氮化镓系发光二极管结构
0207)含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
0208)金属镓电解生产中电解原液的脱钒方法
0209)氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
0210)添加硅的砷化镓单结晶基板
0211)一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
0212)氮化镓晶体的制造方法
0213)氮化镓薄膜外延生长结构及方法
0214)一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
0215)一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
0216)改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
0217)氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
0218)磷化镓液相外延方法及装置
0219)一种砷化镓晶片清洗方法
0220)无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
0221)无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
0222)铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
0223)砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
0224)三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
0225)氮化镓基化合物半导体器件
0226)一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
0227)一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
0228)激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
0229)氮化镓外延层的制造方法
0230)一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
0231)氮化镓基Ⅲ(*)铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
0233)一种氮化镓系Ⅲ(*)陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法
0235)镓在硅台面管生产中的应用技术
0236)一种铜锰镓锗精密电阻合金
0237)适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
0238)用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
0239)一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
0240)水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法
0241)一种镓铝合金、制备方法及其在制氢领域的应用
0242)碘镓灯的可拆卸灯座
0243)直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
0244)氮化镓基化合物半导体发光器件
0245)一种生产4N金属镓的方法
0246)一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
0247)新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
0248)经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
0249)金刚石上的氮化镓发光装置
0250)一种含镓、铟和铈的铜磷银钎料
0251)一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法
0252)一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
0253)一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
0254)通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
0255)非晶系氮化铝铟镓发光二极管装置
0256)氮化镓系发光二极管结构
0257)用于塑封的砷化镓芯片钝化方法
0258)用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
0259)2(*)宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
0261)共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器
0262)掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
0263)砷化镓／磷化铟异质气相外延技术
0264)液(*)镓的回收方法
0266)氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
0267)具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
0268)含镓、铟和铈的无镉银钎料
0269)可调节安装位置的碘镓灯
0270)偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法
0271)氮化镓系Ⅲ(*)采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
0273)镓中杂质元素的分析方法
0274)直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
0275)氮化镓基半导体器件
0276)一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
0277)小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
0278)形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
0279)一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
0280)氮化镓单晶基板及其制造方法
0281)氮化镓晶体的制造方法
0282)制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法
0283)氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
0284)在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
0285)一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法
0286)氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
0287)块状单晶含镓氮化物制造方法
0288)具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构
0289)适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
0290)镓在治疗炎性关节炎中的用途
0291)羟基镓酞菁化合物,其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
0292)一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
0293)一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
0294)砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法
0295)局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
0296)一种含镓和铈的无镉银钎料
0297)氮化镓晶圆
0298)氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
0299)平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法
0300)提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
0301)从碱液中分离镓的方法
0302)硫镓银多晶体的制备方法与装置
0303)生长氮化镓晶体的方法
0304)磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置
0305)镓抑制生物膜形成
0306)具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ(*)改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
0308)钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
0309)透红外镓酸盐玻璃
0310)制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
0311)铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
0312)一种制备氮化镓单晶衬底的方法
0313)具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
0314)以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
0315)直拉法生长掺镓硅单晶的装置
0316)生长砷化镓单晶的温控炉
0317)使用基于副Ⅱ族元素硒化物和/或基于硫镓化物的磷光体材料发射输出光的器件与方法
0318)对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
0319)一种新型非线性光学晶体硼酸铝镓铋
0320)用于磷化镓发光元件的外延晶片及磷化镓发光元件
0321)适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
0322)氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
0323)减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
0324)渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
0325)具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
0326)宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
0327)氮化镓系半导体的成长方法
0328)氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
0329)一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
0330)在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
0331)砷化镓场效应(晶体)管沟道温度测试装置
0332)一种氮化镓基Ⅲ(*)制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
0355)掺杂钙锂钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
0366)一种制备氮化镓基 LED的新方法
0367)铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
0368)利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
0369)氮化镓基半导体器件及其制造方法
0370)自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
0371)富有机镓豆芽的生产方法及应用
0372)导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
0373)硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
0374)亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
0375)含镓硅酸盐分子筛催化剂的合成方法
0376)碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
0377)多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器
0378)制备氮化镓单晶薄膜的方法
0379)超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
0380)氮化镓基Ⅲ(*)基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物,其制备方法及其作为发光材料的使用
0382)掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
0383)中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法
0384)用于生长平坦半极性氮化镓的技术
0385)用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法
0386)硝酸镓的制备方法
0387)低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
0388)制备放射性标记的镓络合物的微波方法
0389)高亮度氮化镓类发光二极体结构
0390)自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
0391)氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
0392)一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
0393)砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器及制作方法
0394)氮化镓发光二极管结构
0395)氮化镓化合物半导体制造方法
0396)氮化镓系发光器件
0397)一种镓酸钇基三色荧光材料及其制备方法
0398)铝镓铟磷系化合物半导体发光器及其制造方法
0399)砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
0400)垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
0401)生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
0402)金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
0403)硅酸镧镓晶片及其制备方法
0404)桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
0405)一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
0406)单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
0407)一种含镓、铟和铈的无镉银基钎料
0408)氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
0409)氮化镓薄膜材料的制备方法
0410)氮化镓基LED的发光装置
0411)铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
0412)氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
0413)铝镓氮(*)烧结的多晶氮化镓
0415)硝酸镓的制备方法
0416)氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
0417)一种氮化镓基场效应管及其制作方法
0418)氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
0419)一种提取镓的生产方法
0420)一种从含镓的钒渣中提取镓的方法
0421)一种砷化镓基半导体(*)一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
0423)氮化镓系Ⅲ(*)获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
0425)锌和/或镓促进的多金属氧化物催化剂
0426)掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法
0427)氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
0428)含镓和铈的无镉银钎料
0429)含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法
0430)一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
0431)形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法
0432)氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
0433)具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
0434)以氮化镓为基底的半导体发光装置
0435)性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
0436)晶片键合的铝镓铟氮结构
0437)新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
0438)用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
0439)碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
0440)异质面砷化镓背场太阳能电池
0441)氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
0442)太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法
0443)生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
0444)氮化镓系异质结构光二极体
0445)碘镓灯
0446)一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
0447)一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法
0448)氮化镓的块状单结晶的制造方法
0449)一种生产金属镓联产氧化铝的方法
0450)氮化镓半导体器件
0451)含镓、铟、硅和稀土钕的无镉银钎料
0452)氮化铟镓发光二极管
0453)镓的回收方法
0454)具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
0455)氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
0456)锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
0457)大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
0458)一种生长室和氮化镓体材料生长方法
0459)砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
0460)一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
0461)垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
0462)微台面结构的铟镓砷线列探测器
0463)非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
0464)铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法
0465)垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
0466)磷酸镓晶体的助熔剂生长法
0467)高亮度氮化铟镓铝发光二极管及其制造方法
0468)导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
0469)高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法
0470)一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
0471)磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法
0472)氮化镓半导体衬底及其制造方法
0473)一种氮化镓基外延膜的制备方法
0474)一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
0475)结晶状镓磷酸盐组合物
0476)得到镓(*)提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术
0478)在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
0479)铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法
0480)氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
0481)一种有机镓豆芽粉与钙制剂的组合物及其制备方法
0482)用横向生长制备氮化镓层
0483)氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
0484)激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
0485)氮化镓系化合物半导体发光器件
0486)用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
0487)具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
0488)氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
0489)氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
0490)三甲基镓生产方法及设备
0491)从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法
0492)一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
0493)单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
0494)氮化镓基化合物半导体发光器件
0495)铟镓砷光电探测器
0496)在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
0497)两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法
0498)一种生长砷化镓单晶的抽真空装置
0499)氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
0500)高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
0501)在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
0502)基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
0503)改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
0504)多层外延砷化镓的双源法和装置
0505)氧化镓(*)制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
0507)提高铝镓氮材料质量的方法
0508)氮化镓系发光二极管
0509)PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
0510)具有相反转化的控制终点和形状记忆效应的镍锰镓合金
0511)往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
0512)一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
0513)磁力运动远望图形砷化镓半导体激光近视弱视治疗仪
0514)形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
0515)从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓的方法
0516)直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片抛光工艺
0517)_具有倒台面支承结构的铟镓砷磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
0518)铟镓砷光电探测器
0519)牙体充填镓合金材料
0520)砷化镓衬底上的混合并质外延
0521)碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
0522)溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
0523)功率型氮化镓基发光二极管芯片
0524)从氧化铝生产流程中提取镓的离子交换法
0525)一种硅酸镓锑基压电单晶
0526)改进砷化镓晶片表面质量的方法
0527)光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
0528)用液体(*)基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
0530)低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM(*)生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置
0532)硝酸镓的制备方法
0533)一种照明用氮化镓基发光二极管器件
0534)磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
0535)氮化镓单晶衬底及其制造方法
0536)透可见和中红外的锗镓酸盐玻璃
0537)一种照明用氮化镓基发光二极管器件
0538)内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺
0539)电解—结晶联合法生产高纯镓
0540)氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法
0541)垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
0542)砷化镓/铝镓砷红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
0543)薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
0544)钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
0545)铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
0546)铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
0547)块状单晶含镓氮化物及其应用
0548)从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法
0549)在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法
0550)磷化镓发光二极管电极制备工艺
0551)一种从高铝粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓的方法
0552)砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
0553)氮化镓类半导体元件及其制造方法
0554)一种碘镓灯
0555)砷化镓、磷化镓衬底干处理方法
0556)氮化镓系Ⅲ(*)减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
0558)制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
0559)白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法
0560)磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
0561)镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器
0562)一种磷化镓晶片双面抛光方法
0563)具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
0564)具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
0565)反射式铟镓砷陷阱辐射探测器
0566)窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
0567)药物镓组合物和方法
0568)氮化镓单晶膜的制造方法
0569)氮化镓薄膜制备技术及专用装置
0570)一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备
0571)双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
0572)氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
0573)超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器
0574)光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
0575)基于氮化镓的化合物半导体发光器件
0576)氧化镓(*)石英基铋镓铒铝共掺光纤及其制作方法
0578)氮化镓外延层的制造方法
0579)超高纯金属镓的制备方法
0580)氮化镓系列化合物半导体元件
0581)背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
0582)硫化镓玻璃
0583)砷化镓表面清洁方法
0584)垂直基于氮化镓的发光二极管
0585)一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料
0586)激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
0587)一种硝酸镓的制备方法
0588)适用于开管镓扩散石英管的制造工艺
0589)提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
0590)一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
0591)一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
0592)一种锑化镓纳米半导体溶剂热共还原制备方法
0593)无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法
0594)一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
0595)用于制造化合物半导体的高纯度镓的纯化方法
0596)横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
0597)在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
0598)铟镓铝氮发光器件
0599)降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
0600)用于制造化合物半导体的高纯度镓及其纯化方法和装置
0601)使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
0602)含镓、铟和稀土钕及铈的无镉银钎料
0603)在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法
0604)用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法
0605)砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
0606)用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
0607)一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
0608)含镓的铝硅酸盐型催化剂在每分子具有5～7个碳原子的轻馏分的芳构化反应中的应用
0609)氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
0610)一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法
0611)提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
0612)砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
0613)氮化镓基蓝光发光二极管
0614)氮化镓陶瓷体的制备方法
0615)粉末或烧结形式的LaMO3型化合物,其中M为铝、镓或铟,其制备方法及其作为氧导体的应用
0616)溶解法自氧化铝生产中回收镓
0617)直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器
0618)砷化镓单晶的生长方法
0619)氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
0620)氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
0621)单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
0622)氮化镓晶体的制备方法
0623)氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
0624)由三价铥激活的发光镓酸镧和备有它的荧光屏及其阴极射线管
0625)自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
0626)氮化镓结晶的制造方法
0627)铟镓砷线列红外焦平面探测器
0628)从镓酸钠溶液中回收硫化钠
0629)采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
0630)氮化镓基发光二极管及其制造方法
0631)可谐调能量和脉冲频率的运动图形砷化镓激光弱视矫治仪
0632)从氧化铝生产过程的循环母液中萃取镓的工艺
0633)高纯度烷基镓的制备
0634)氮化镓晶体衬底及其制造方法
0635)异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
0636)适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
0637)氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
0638)一种制备纳米镓酸镁的新方法
0639)具有无镓层的III族氮化物发光器件
0640)氮化镓半导体装置的封装
0641)从拜耳液中萃取并提纯镓的方法
0642)获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置
0643)磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管
0644)射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
0645)氮化镓基发光二极管芯片
0646)一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
0647)高强度弹性电接触钯银铜镓合金
0648)桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
0649)一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
0650)用镓对不良肝脏病症的治疗和预防
0651)羟基镓酞菁化合物,其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
0652)一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法
0653)一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
0654)基于氮化镓的装置和制造方法
0655)氮化镓基蓝光激光器的制作方法
0656)氮化镓系Ⅲ(*)高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
0658)氮化镓基高单色性光源阵列
0659)氮化镓序列的复合半导体发光器件
0660)一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置
0661)用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
0662)一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
0663)应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
0664)氮化镓系发光组件及其制造方法
0665)一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
0666)基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
0667)氮化镓基发光二极管及其制造方法
0668)铌酸镓镧系列纳米粉体的制备方法
0669)氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
0670)一种高纯镓的制备方法
0671)用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
0672)单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
0673)单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
0674)氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
0675)一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
0676)氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
0677)砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
0678)一种氮化镓单晶的热液生长方法
0679)一种开管铝镓扩散工艺
0680)I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、基于氧化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源
0681)稀土或镓的加成组合物、其制备方法和作为催化剂的用途
0682)砷化镓光接收模块
0683)适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
0684)导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
0685)倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
0686)铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池
0687)一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
0688)特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜(*)一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
0690)基于氮化镓铝的多波段紫外辐照度测量装置
0691)氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
0692)三甲基镓制备和提纯方法
0693)一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
0694)一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
查询更多技术请点击：
中国创新技术网（http://www.887298.com）
金博专利技术网（http://www.39aa.net）
金博技术资料网（http://www.667298.com）
购买操作说明（点击或复制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）
本部（辽宁日经咨询有限公司技术部）拥有各种专利技术、技术文献、论文资料近20万套500多万项，所有专利技术资料均为国家发明专利、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式，没有录像及视频），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费）。
(1)、银行汇款：本套资料标价(是网传价，不包含邮费，如邮寄光盘加收15元快递费，快递公司不能到达的地区加收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号（需带身份证），款到发货！
中国农业银行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中国邮政银行:602250302200014417 收款人: 王雷
中国建设银行：0600189980130287777 收款人: 王雷
中国工商银行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中国 银行：418330501880227509 户 名：王雷
欢迎通过淘宝、有啊、拍拍等第三方平台交易，请与QQ：547978981联系办理。
邮局地址汇款：117002辽宁省本溪市溪湖顺山科报站 收款人: 王雷
汇款后请用手机短信（13050204739或13941407298）通知，告诉所需技术光盘名称、编号、数量及收货人姓名、邮政编码和详细地址。（如需网传请告邮箱地址或QQ号）
单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）
地址：辽宁省本溪市溪湖顺山科报站
联系人：王雷老师
电 话：0414-2114320 3130161
手 机：13941407298
客服QQ：547978981 824312550 517161662
货到付款：办理货到付款业务请与QQ：547978981联系。
本公司经营技术，质量保证，欢迎咨询洽谈。