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供应选择半导体技术资料-选择性晶体管-区选择性晶体管-体半导
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产品: 供应选择半导体技术资料-选择性晶体管-区选择性晶体管-体半导 
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最后更新: 2012-05-24 07:03
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选择半导体技术资料-选择性晶体管-区选择性晶体管-体半导体-形成半导体-积体半导体类资料(198元/全套)选购时请记住本套资料(光盘)售价:198元;资料(光盘)编号:F150774
敬告:我公司只提供技术资料,不能提供任何实物产品及设备,也不能提供生产销售厂商信息。
《选择半导体资料》包括专利技术全文资料89份。
0001)激光头装置及波长选择性衍射光栅

0011)相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法
0012)有选择地形成半导体区域的方法
0013)选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
0014)波长选择装置
0015)具有选择电路的半导体存储器
0016)选择性电镀半导体器件的输入/输出焊盘的方法
0017)一种选择性毒害气体报*器
0018)采用选择再生长的AlGaN/GaN(*)金属选择性蚀刻液
0020)活性碳的选择性外延工艺
0021)蚀刻液及应用该蚀刻液选择性去除阻障层的导电凸块制造方法
0022)在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法
0023)采用熔断电路的半导体器件及选择熔断电路系统的方法
0024)波长选择性光电检测器
0025)具有选择性生长接触焊盘的半导体器件
0026)栅极氧化物的选择性渗氮
0027)一种基于布拉格光栅和MOS结构的波长选择光开关
0028)镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法
0029)选择性腐蚀氧化物的方法
0052)具有选择性扩散区的半导体器件
0062)硬盘选择性写保护装置
0063)用于选择功率下降退出的装置和方法
0064)用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料
0065)具形成于网区选择性晶体管之积体半导体内存
0066)可选择电性的有机半导体主动层及其运用
0067)选择性应力记忆作用的半导体元件及其制造方法
0068)用二氟化氙选择性蚀刻氮化钛
0069)分闸式快闪记忆胞的选择闸极的制作方法
0070)具有芯片间互连选择装置的三维半导体器件
0071)层叠型半导体装置及芯片选择电路
0072)用于将材料选择性沉积到表面和衬底上的方法和装置
0073)导电表面的膜**性选择电镀
0074)提高气敏元件选择性稳定性的方法
0075)对II-VI半导体有选择的刻蚀
0076)具有输出冗余取代选择信号装置的半导体存储器件
0077)一种低音增强级别选择电路
0078)选择性蚀刻方法
0079)带有对用于选择存储单元的辅助字线的控制的半导体存储器件
0080)532nm波长绿色激光前列腺增生选择性光汽化手术方法与装置
0081)计算机启动设备选择系统及方法
0082)存储器装置的位线选择信号发生器
0083)具有可选择连接的分段位线元件的存储器件及其驱动方法
0084)使用高选择性硬掩模形成沟槽的方法及使用该方法的半导体器件隔离方法
0085)利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法
0086)利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
0087)光控多波长选择光开关
0088)包含助焊剂的选择填充粘附膜
0089)带有可选择地起作用的透气面的透气装置



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